產(chǎn)品與技術(shù)
PRODUCTS AND TECHNOLOGY
6英寸碳化硅化學(xué)氣相沉積外延設(shè)備
碳化硅外延設(shè)備是用于碳化硅芯片生產(chǎn)的核心環(huán)節(jié)—外延薄層生長的專用設(shè)備，這一過程是制造電力電子器件，如二極管、功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵步驟，納設(shè)智能的6英寸碳化硅外延設(shè)備，采用水平熱壁技術(shù)路線實現(xiàn)單片式生長，兼容6英寸、4英寸外延片，設(shè)備性能可靠，已穩(wěn)定量產(chǎn)。
● 精確：氣路獨立可控 ● 精湛：工藝指標(biāo)優(yōu)異 ● 低耗：耗材成本更低 ● 省時：維護(hù)頻次更低 ● 進(jìn)階：NP型靈活切換
8英寸碳化硅化學(xué)氣相沉積外延設(shè)備
納設(shè)智能碳化硅外延設(shè)備采用水平熱壁的技術(shù)路線實現(xiàn)單片式外延生長，兼容8英寸、6英寸外延片，溫場流場等結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，耗材成本、維護(hù)頻次更低，設(shè)備工藝指標(biāo)優(yōu)異，厚度均勻性、濃度均勻性、缺陷密度等均達(dá)到行業(yè)先進(jìn)水平。
● 創(chuàng)新腔室結(jié)構(gòu)：打造更穩(wěn)定腔室環(huán)境，生長缺陷更少 ● 多區(qū)獨立進(jìn)氣：工藝氣體獨立控制，工藝調(diào)整更靈活 ● 設(shè)備維護(hù)簡單：調(diào)整設(shè)備結(jié)構(gòu)設(shè)計，周期維護(hù)更容易 ● 量產(chǎn)成本更低：耗材種類及數(shù)量更少，降低量產(chǎn)成本
原子層沉積設(shè)備
納設(shè)智能原子層沉積設(shè)備根據(jù)表面化學(xué)自限制反應(yīng)原理，采用空間隔離技術(shù)，能夠精確控制薄膜厚度和生長速率，適用于不同沉積材料，在高速率的薄膜生長過程中能保持薄膜的均勻性，進(jìn)而制備出均勻性好、保形性優(yōu)、致密性佳的薄膜材料，應(yīng)用于對超薄薄膜（1nm~50nm）有需求的各個領(lǐng)域，如光伏，半導(dǎo)體，面板顯示，生物醫(yī)療等。
● 精確：控制系統(tǒng)高精度控制各種參數(shù) ● 高效：材料沉積速度快(可達(dá)5nm/min) ● 均勻：噴淋板進(jìn)氣出氣勻氣一體化設(shè)計 ● 穩(wěn)定：軟間硬件運行穩(wěn)定，維護(hù)周期長
開放式卷對卷石墨烯制備設(shè)備
開放式卷對卷石墨烯制備設(shè)備是一種用于大規(guī)模生產(chǎn)石墨烯薄膜的關(guān)鍵設(shè)備。這種設(shè)備采用卷對卷（roll-to-roll）的生產(chǎn)方式，即將基底材料（如聚酰亞胺薄膜、聚酯薄膜等）和石墨烯前體材料以連續(xù)的方式卷繞在輥筒之間，并在適當(dāng)?shù)臏囟群蜌夥障逻M(jìn)行熱解，使石墨烯層沉積在基底上，開放式卷對卷石墨烯制備設(shè)備可實現(xiàn)大規(guī)模、高效率的石墨烯薄膜生產(chǎn)，為石墨烯在電子、光學(xué)和能源領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用提供了關(guān)鍵支持。
● 大規(guī)模生產(chǎn)能力：開放式卷對卷石墨烯制備設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)連續(xù)、高效率的生產(chǎn)，適用于大規(guī)模石墨烯薄膜的制備。 ● 高質(zhì)量石墨烯生長：通過優(yōu)化反應(yīng)條件和熱解參數(shù)，設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)高質(zhì)量、均勻的石墨烯生長，具有優(yōu)異的電學(xué)和物理性能。 ● 可調(diào)控性：設(shè)備具有較高的工藝可調(diào)控性，能夠調(diào)整石墨烯的厚度、晶格結(jié)構(gòu)和形貌，以滿足不同應(yīng)用的需求。
科研級定制化CVD設(shè)備
化學(xué)氣相沉積（CVD）設(shè)備是一種關(guān)鍵的制備工具，被廣泛應(yīng)用于材料制備和表面工程領(lǐng)域。CVD設(shè)備的工作原理是通過將氣態(tài)前體物質(zhì)在恰當(dāng)?shù)臏囟?、壓力和反?yīng)條件下與基底表面反應(yīng)，從而形成所需的薄膜結(jié)構(gòu)，在半導(dǎo)體、光電子器件、表面涂層等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
● 高質(zhì)量薄膜生長：能夠?qū)崿F(xiàn)對材料生長過程的精確控制 ● 高性能材料制備：可以制備出各種特定要求的功能性材料 ● 高效率生產(chǎn)：能夠在相對短的時間內(nèi)完成大面積薄膜的生長 ● 廣泛應(yīng)用性：MOCVD設(shè)備廣泛應(yīng)用于LED、LD、太陽能電池等領(lǐng)域，為這些器件的制備提供了關(guān)鍵的材料基礎(chǔ)。