SKY-P42R05（8”x2)
碳化硅外延設(shè)備是用于碳化硅芯片生產(chǎn)的核心環(huán)節(jié)—外延層生長(zhǎng)的專(zhuān)用設(shè)備，這一過(guò)程是制造電力電子器件，如二極管、功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵步驟。納設(shè)智能全自動(dòng)雙腔設(shè)備采用創(chuàng)新的雙反應(yīng)腔協(xié)同設(shè)計(jì)，通過(guò)模塊化腔體結(jié)構(gòu)和智能控制系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)雙腔同步運(yùn)行與工藝參數(shù)獨(dú)立調(diào)控，為規(guī)?；慨a(chǎn)提供了更優(yōu)解決方案。
<strong>智能制造</strong> 兼容AGV&天車(chē)，可實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化配套； 配置NH3、N2、TMAL模塊，可自由組合，滿(mǎn)足不同產(chǎn)品規(guī)格。 <strong>自主安全</strong> 通過(guò)SEMI認(rèn)證，符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范； 具備自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，具有獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
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碳化硅外延設(shè)備是用于碳化硅芯片生產(chǎn)的核心環(huán)節(jié)—外延層生長(zhǎng)的專(zhuān)用設(shè)備，這一過(guò)程是制造電力電子器件，如二極管、功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵步驟。納設(shè)智能全自動(dòng)雙腔設(shè)備采用創(chuàng)新的雙反應(yīng)腔協(xié)同設(shè)計(jì)，通過(guò)模塊化腔體結(jié)構(gòu)和智能控制系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)雙腔同步運(yùn)行與工藝參數(shù)獨(dú)立調(diào)控，為規(guī)?；慨a(chǎn)提供了更優(yōu)解決方案。
智能制造
兼容AGV&天車(chē)，可實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化配套；
配置NH3、N2、TMAL模塊，可自由組合，滿(mǎn)足不同產(chǎn)品規(guī)格。
自主安全
通過(guò)SEMI認(rèn)證，符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范；
具備自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，具有獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
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碳化硅外延設(shè)備是用于碳化硅芯片生產(chǎn)的核心環(huán)節(jié)—外延層生長(zhǎng)的專(zhuān)用設(shè)備，這一過(guò)程是制造電力電子器件，如二極管、功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵步驟。納設(shè)智能全自動(dòng)雙腔設(shè)備采用創(chuàng)新的雙反應(yīng)腔協(xié)同設(shè)計(jì)，通過(guò)模塊化腔體結(jié)構(gòu)和智能控制系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)雙腔同步運(yùn)行與工藝參數(shù)獨(dú)立調(diào)控，為規(guī)?；慨a(chǎn)提供了更優(yōu)解決方案。
<strong>智能制造</strong> 兼容AGV&天車(chē)，可實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化配套； 配置NH3、N2、TMAL模塊，可自由組合，滿(mǎn)足不同產(chǎn)品規(guī)格。 <strong>自主安全</strong> 通過(guò)SEMI認(rèn)證，符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范； 具備自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，具有獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
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納設(shè)智能碳化硅外延單腔系統(tǒng)采用水平熱壁的技術(shù)路線實(shí)現(xiàn)外延生長(zhǎng)，獨(dú)創(chuàng)的反應(yīng)腔室設(shè)計(jì)配備可獨(dú)立控制的多區(qū)進(jìn)氣系統(tǒng)，顯著提升了外延片的均勻性，同時(shí)降低外延缺陷率。
<strong>反應(yīng)腔室</strong> 石墨腔室配件數(shù)量少，結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)化；? 腔室進(jìn)氣/傳片方式獨(dú)特，減少外延掉落物。 <strong>尾氣系統(tǒng)</strong> 維護(hù)僅打磨平板石墨件，方便配件的清理操作；? 維護(hù)無(wú)需分離傳輸腔，只打開(kāi)腔室后端法蘭，維護(hù)簡(jiǎn)易。 <strong>氣體系統(tǒng)</strong> 5區(qū)進(jìn)氣，乙烯/三氯氫硅每區(qū)獨(dú)立控制；? 各區(qū)碳硅比獨(dú)立控制，調(diào)整更靈活。 <strong>晶圓控制</strong> 工藝中晶圓轉(zhuǎn)速可精確調(diào)控；? 工藝中晶圓高度位置精確調(diào)控。
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納設(shè)智能的6英寸碳化硅外延設(shè)備，采用水平熱壁技術(shù)路線實(shí)現(xiàn)單片式生長(zhǎng)，兼容6英寸、4英寸外延片，設(shè)備性能可靠，已穩(wěn)定量產(chǎn)。
<strong>精確：氣路獨(dú)立可控</strong> ● 精湛：工藝指標(biāo)優(yōu)異 ● 低耗：耗材成本更低? ● 省時(shí)：維護(hù)頻次更低? ● 進(jìn)階：NP型靈活切換
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通過(guò)物理分隔反應(yīng)區(qū)實(shí)現(xiàn)空間交替：基板在移動(dòng)中依次經(jīng)過(guò)前驅(qū)體A區(qū)、惰性氣體吹掃區(qū)、前驅(qū)體B區(qū)，單次循環(huán)即可完成原子層沉積。
薄膜性能：片內(nèi)/片間/批次間不均勻性＜±5%，折射率不均勻性＜±3%（不均勻性=(最大值-最小值)/(最大值+最小值)） 產(chǎn)品特色：A源B源氣路獨(dú)立，工藝距離可調(diào)，源瓶壓力可控，自動(dòng)傳片及取片，可擴(kuò)展腔體及氣路數(shù)量，支持客戶(hù)定制
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